Радиоэлектроника и телекоммуникации
Рис. 2.2.1
Рис. 2.2.2
Определение напряженности поля ИВ
. Существующие методы расчета напряженности поля ИВ являются приближенными. В инженерной практике наибольшее распространение получил метод А.Н. Казанцева, используемый для определения медианного значения напряженности поля ИВ на трассах, проходящих в средних широтах.
Расчет напряженности поля проводят обычно для одного (основного) луча, а действие других учитывают при оценке быстрых замираний. Основным называют луч, претерпевший наименьшее количество отражений от ионосферы и прошедший меньший путь в ней.
Следовательно, перед тем как начинать рассчитывать напряженность поля ИВ, необходимо определить основной луч для заданной радиотрассы. Для этого требуется найти все лучи, способные отражаться от слоев ионосферы, руководствуясь условием
,
где f - рабочая частота; fмпч - МПЧ для слоя ионосферы, определенная ранее. Далее из всех отразившихся от слоев ионосферы лучей выбрать один, прошедший наименьший путь в ней.
Исходное выражение для определения действующего значения напряженности поля ИВ по методу Казанцева имеет вид
.
Здесь Р1 - мощность, подводимая к антенне; G1 - коэффициент усиления передающей антенны; rл - расстояние, проходимое волной по основному лучу (по ломаной линии) между точками передачи и приема; - модуль коэффициента отражения от Земли; n - число отражений от ионосферы; Г - интегральный коэффициент поглощения в ионосфере.
Значение rл определяется из выражения
.
Определим напряжённость поля ИВ днём при частоте =3,5МГц:
,5 МГц МГц
Значит, луч отражается от слоя E:
(G1+G2), дБ
Рис. 1
= + 4
Определим напряжённость поля ИВ ночью при частоте =5.5МГц:
,5 МГц
Значит, луч отражается от слоя E:
=4
51,5
Определим напряжённость поля ИВ днём при частоте =11,5МГц:
11,5МГц
Значит, луч отражается от слоя E:
=
+ 4
Определим напряжённость поля ИВ ночью при частоте =6 МГц:
6 МГц
Значит, луч отражается от слоя :
Другие стьтьи в тему
Разработка преобразователя углового перемещения
В системах автоматического контроля и управления широко применяются
различные преобразователи перемещений, значительный процент из которых
составляют преобразователи угловых перемещений.
От надёжности, точности, быстродействия преобразователей во многом
зависит технико - экономичес ...
Разработка и изготовление лабораторного стенда по изучению вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов
Целью данной работы является разработка и
создание прибора, предназначенного для изучения полупроводниковых диодов. Для
исследования нами был выбран полупроводниковый диод, который наиболее
характерно отражает почти все особенности и свойства полупроводниковой техники
в целом и являе ...