Электрический расчет фазового модулятора

Таблица 4.2 - Параметры двухконтурного модулятора

Параметры приведены при

Где

относительно значения при резонансе

Из таблицы видно, в каких пределах надо менять относительное модулирующее напряжение Em/Em0 для получения изменения фазы при малом изменении дифференциальной крутизны МХ.

Итак, рассчитаем модулятор при частоте 50МГц, номинальный индекс модуляции 35.Из таблицы 2 имеем:А=1,=1.25,Q=7.

Диод имеет параметры [11]:

Последовательное сопротивление потерь rобр=1.33 Омпр=25В

мощность рассеяния Pрас мах= 20мВт

Для получения необходимого значения индекса фазовой модуляции необходимо изменить Em от Em min = Em0 до Em max = 1.4Em0.Абсолютное значение Em0 зависит от требуемой мощности на выходе

Рвых = .

Напряжение на варикапах складывается из модулирующего напряжения Em и высокочастотного напряжения с амплитудой Uв. Em и Uв должны быть такими, чтобы варикап не пробивался и не открывался:

Em max + Uв Em min

Оценим максимально реализуемое значение Рвых и получаемые при этом Em max,UвEm min.При резонансе N2=0,а значит из предыдущих формул получаем Uвых =.Поэтому будем исходить из режима второго варикапа.

Тогда

;

Отсюда Em min=10.4В, Em max=14,6В.Емкость Св0=2С4=7.4пФ.При rобр=1.33 Ом,Gв= rобр=0.256мСм.

Найдем теперь проводимость нагрузки Gн,исходя из известной добротности Q=7;Мощность в нагрузке при Uв= Em min:Рвых=130 мВт.А мощность рассеиваемая в варикапе Ррас = = =13,8мВт.

Рассчитанное таким образом значение выходной мощности соответствует границе отпирания и пробоя варикапа и поэтому является максимальным. При уменьшении выходной, а значит и входной мощности МХ меняется мало.

Емкость связи

Ссв= Gн+Gв)/=1.77пФ.

Контурные индуктивности

=1/(Св0+Ссв)=31 нГн.

Перейти на страницу: 1 2 

Другие стьтьи в тему

Разработка стенда для исследования схемы синхронного RS-триггера
Одним из ведущих направлений развития современной микроэлектроники элементной базы являются большие интегральные микросхемы памяти, которые служат основой для построения запоминающих устройств в аппаратуре различного назначения. Наиболее широкое применение эти микросхемы нашли в ЭВМ, ...

Разработка устройства контроля вибрации газотурбинного двигателя
В результате выполнения курсового проекта необходимо рассчитать конструктивные параметры и разработать упрощенную конструкцию датчика вибрации электромагнитного типа, разработать и протестировать алгоритм работы вторичного устройства обработки и виртуальный прибор, обеспечивающий фор ...

Разделы

Радиоэлектроника и телекоммуникации © 2024 : www.techelements.ru