Определение затрат, связанных с разработкой БУШ ДГ

Надежность системы повысили в канале управления дозатором газа.

Приложения

Приложение 1

Данные по интенсивностям отказов плат, модулей и ЭРИ импортного производства

Значения интенсивностей отказов следующих импортных изделий рассчитаны на основании информации, приведенной в факсах:

плата 5066; мультиплексор UNIO96-5; блоки питания ZX200, ZX550; конвертер ADAM 4520; модули аналоговых и дискретных преобразователей фирмы Gray Hill: 73GITR100, 73GITCK, 73GII020, 73GII420, 73GII5000, 73GIV5, 73GIV10, 73GOI420, 70GIDC5B, 70GODC5B, 73GIV100M, 73GIVAC120 и т.п.; кабели VTC-9F, VTC-9M (факс ООО «Prosoft» от 22.09.99г.);

платы 5300, 5600; блоки питания 5124 (факс ЗАО «Система-Сервис» от 28.10.97г.);

тактовая кнопка SWT (факс ООО «Торговый Дом Бурый Медведь» от 29.09.99г.).

Значения интенсивностей отказов остальных импортных модулей и ЭРИ рассчитаны по l-характеристикам отечественных аналогов.

Расчет lэ импортных соединителей проведен по математической модели для низкочастотных соединителей. Применение этой модели основано на сравнительном сходстве импортных и отечественных соединителей. Так, целевое назначение, конструктивное исполнение (особенно применение пайки в вилках соединителей, например IDC и MSTB) аналогичны для отечественных низкочастотных соединителей для печатного монтажа (например, типа CHП).

При этом количество задействованных контактов N соответствует фактическому исполнению конкретного соединителя согласно электрическим схемам плат, а количество сочленений-расчленений выбрано в соответствии с реальным применением в САУ ГТЭС в диапазоне 1-25.

Влияние отказов плат из-за конструктивно-производственных недостатков разработчика-изготовителя оценено коэффициентом Котн, который для периода эксплуатации принят равным Котн = 1.45 [7].

Таблица 1. Значения интенсивностей отказов отечественных ЭРИ на платах САУ ГТЭС.

Тип элемента

Характеристика элемента

Исходные данные

lэ*10-6, ч-1

Резистор

диапазон сопротивлений

номинальная мощность, Вт

lб*10-6,ч-1

Кр

Кэ

Кпр

КR

Км

Кстаб

С2-29В Постоянный непроволочный (прецизионный)

<1кОм

0.125

0.04

0.45

1

1

1

-

0.05

0.0009

³1кОм<100кОм

0.125

0.04

0.45

1

1

0.7

-

0.05

0.0006

³100кОм<1МОм

0.125

0.04

0.45

1

1

2.0

-

0.05

0.0018

³1МОм

0.125

0.04

0.45

1

1

0.6

-

0.1

0.0005

С2-33 Постоянный непроволочный (металлодиэлектрический)

<1кОм

0.25

0.04

0.45

1

1

1

0.7

1.0

0.0126

0.5

0.04

0.45

1

1

1

0.7

1.0

0.0126

1.0

0.04

0.45

1

1

1

1.5

1.0

0.0270

³1кОм<100кОм

0.25

0.04

0.45

1

1

0.7

0.7

1.0

0.0088

0.5

0.04

0.45

1

1

0.7

0.7

1.0

0.0088

1.0

0.04

0.45

1

1

0.7

1.5

1.0

0.0189

2.0

0.04

0.45

1

1

0.7

1.5

1.0

0.0189

³100кОм<1МОм

0.25

0.04

0.45

1

1

2.0

0.7

1.0

0.0252

³1МОм

0.25

0.04

0.45

1

1

0.6

0.7

1.0

0.0076

С5-35В-25 Постоянный проволочный (нагрузочный)

£1кОм

-

0.045

0.21

1

1

1.3

-

-

0.0123

С5-61 Постоянный проволочный

£1кОм

-

Б.с.г. 0.02

0.21

1

1

1.3

-

-

0.0055

СП5-16ВА Переменный проволочный (подстроечный)

0.24 Ом

0.25

0.003

0.46

1

1

1.9

-

-

0.0026

6.8 кОм

0.25

0.003

0.46

1

1

0.3

-

-

0.0004

Б19К-1-1

Сборка резисторная

-

0.02

0.47

1

1

-

-

-

0.0094

Б19К-2

Сборка резисторная

-

0.02

0.47

1

1

-

-

-

0.0094

Конденсатор

Емкость, nф

Uном, В

lб*10-6,ч-1

Кр

Кэ

Кпр

КС

Кпс

Апроб Аобрыв

lэ*106, ч-1

К 10-17 керамический, постоянной емкости

180

<1600

0.025

0.18

1

1

0.745

-

39/2

0.0034

300

<1600

0.025

0.18

1

1

0.790

-

39/2

0.0036

5600

<1600

0.025

0.18

1

1

1.127

-

39/2

0.0051

104

<1600

0.025

0.18

1

1

1.208

-

39/2

0.0054

1.5 104

<1600

0.025

0.18

1

1

1.268

-

39/2

0.0057

105

<1600

0.025

0.18

1

1

1.592

-

39/2

0.0072

К 10-23 керамический, постоянной емкости

6.8 105

<1600

Б.с.г. 0.008

0.18

1

1

2.004

-

39/2

0.0029

К 10-47А керамический, постоянной емкости

4.7 104

<1600

0.02

0.18

1

1

1.454

-

39/2

0.0052

1.5 105

<1600

0.02

0.18

1

1

1.672

-

39/2

0.0060

3.3 105

<1600

0.02

0.18

1

1

1.817

-

39/2

0.0065

4.7 105

<1600

0.02

0.18

1

1

1.917

-

39/2

0.0069

1.5 106

<1600

0.02

0.18

1

1

2.186

-

39/2

0.0079

К 50-24 оксидноэлектролит.

£103

16

-

0.3

0.38

1

1

1.0

-

-

0.1140

К 50-27 оксидноэлектролит.

£103

160

-

0.4

0.38

1

1

1.0

-

-

0.1520

£103

350

-

0.4

0.38

1

1

1.0

-

-

0.1520

К 50-38 оксидноэлектролит.

£103 (470)

16

-

0.12

0.38

1

1

1.0

-

-

0.0456

£103 (2200)

16

-

0.12

0.38

1

1

1.0

-

-

0.0456

К 53-18 оксиднополупровод.

2.2

32

125

0.1

0.33

1

1

1.0

1

18/1

0.0330

6.8

32

125

0.1

0.33

1

1

1.0

1

18/1

0.0330

33

32

125

0.1

0.33

1

1

1.0

1

18/1

0.0330

10

40

0.1

0.33

1

1

1.0

1

18/1

0.0330

К 71-7 с органическим синтетическим диэлектриком.

0.01

250

0.06

0.15

1

1

0.8

-

69/6

0.0072

К 73-16 с органическим синтетическим диэлектриком.

1.0

160

0.02

0.15

1

1

1.0

-

69/6

0.0030

6.8

160

0.02

0.15

1

1

1.064

-

69/6

0.0032

1.0

400

0.02

0.15

1

1

1.0

-

69/6

0.0030

Б 18-1-В

Сборка конденсаторная

lэ=lэтабл* (Кр (45оС)/ Кр(25оС))=0.0252*( 0.11/0.05 ) [ 1. Стр 278 ]

0.0554

Перейти на страницу: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17

Другие стьтьи в тему

Р-канальный полевой транзистор с изолированным затвором
Одним из основных достижений микроэлектроники является создание на основе фундаментальных и прикладных наук новой элементной базы - интегральных микросхем. Развитие вопросов проектирования и совершенствование технологии позволило в короткий срок создать высокоинтегрированные функ ...

Разработка схем приемного и передающего устройств
В цифровых системах сигналы передаются в виде различных комбинаций импульсов постоянной амплитуды, отображающих числовое значение сигнала в каждый данный момент времени (кодовыми группами). Чтобы каждое значение сигнала можно было преобразовать в соответствующую кодовую группу, к ...

Разделы

Радиоэлектроника и телекоммуникации © 2024 : www.techelements.ru