Радиоэлектроника и телекоммуникации
Надежность системы повысили в канале управления дозатором газа.
Приложения
Приложение 1
Данные по интенсивностям отказов плат, модулей и ЭРИ импортного производства
Значения интенсивностей отказов следующих импортных изделий рассчитаны на основании информации, приведенной в факсах:
плата 5066; мультиплексор UNIO96-5; блоки питания ZX200, ZX550; конвертер ADAM 4520; модули аналоговых и дискретных преобразователей фирмы Gray Hill: 73GITR100, 73GITCK, 73GII020, 73GII420, 73GII5000, 73GIV5, 73GIV10, 73GOI420, 70GIDC5B, 70GODC5B, 73GIV100M, 73GIVAC120 и т.п.; кабели VTC-9F, VTC-9M (факс ООО «Prosoft» от 22.09.99г.);
платы 5300, 5600; блоки питания 5124 (факс ЗАО «Система-Сервис» от 28.10.97г.);
тактовая кнопка SWT (факс ООО «Торговый Дом Бурый Медведь» от 29.09.99г.).
Значения интенсивностей отказов остальных импортных модулей и ЭРИ рассчитаны по l-характеристикам отечественных аналогов.
Расчет lэ импортных соединителей проведен по математической модели для низкочастотных соединителей. Применение этой модели основано на сравнительном сходстве импортных и отечественных соединителей. Так, целевое назначение, конструктивное исполнение (особенно применение пайки в вилках соединителей, например IDC и MSTB) аналогичны для отечественных низкочастотных соединителей для печатного монтажа (например, типа CHП).
При этом количество задействованных контактов N соответствует фактическому исполнению конкретного соединителя согласно электрическим схемам плат, а количество сочленений-расчленений выбрано в соответствии с реальным применением в САУ ГТЭС в диапазоне 1-25.
Влияние отказов плат из-за конструктивно-производственных недостатков разработчика-изготовителя оценено коэффициентом Котн, который для периода эксплуатации принят равным Котн = 1.45 [7].
Таблица 1. Значения интенсивностей отказов отечественных ЭРИ на платах САУ ГТЭС.
|
Тип элемента |
Характеристика элемента |
Исходные данные |
lэ*10-6, ч-1 | |||||||||
|
Резистор |
диапазон сопротивлений |
номинальная мощность, Вт |
lб*10-6,ч-1 |
Кр |
Кэ |
Кпр |
КR |
Км |
Кстаб | |||
|
С2-29В Постоянный непроволочный (прецизионный) |
<1кОм |
0.125 |
0.04 |
0.45 |
1 |
1 |
1 |
- |
0.05 |
0.0009 | ||
|
³1кОм<100кОм |
0.125 |
0.04 |
0.45 |
1 |
1 |
0.7 |
- |
0.05 |
0.0006 | |||
|
³100кОм<1МОм |
0.125 |
0.04 |
0.45 |
1 |
1 |
2.0 |
- |
0.05 |
0.0018 | |||
|
³1МОм |
0.125 |
0.04 |
0.45 |
1 |
1 |
0.6 |
- |
0.1 |
0.0005 | |||
|
С2-33 Постоянный непроволочный (металлодиэлектрический) |
<1кОм |
0.25 |
0.04 |
0.45 |
1 |
1 |
1 |
0.7 |
1.0 |
0.0126 | ||
|
0.5 |
0.04 |
0.45 |
1 |
1 |
1 |
0.7 |
1.0 |
0.0126 | ||||
|
1.0 |
0.04 |
0.45 |
1 |
1 |
1 |
1.5 |
1.0 |
0.0270 | ||||
|
³1кОм<100кОм |
0.25 |
0.04 |
0.45 |
1 |
1 |
0.7 |
0.7 |
1.0 |
0.0088 | |||
|
0.5 |
0.04 |
0.45 |
1 |
1 |
0.7 |
0.7 |
1.0 |
0.0088 | ||||
|
1.0 |
0.04 |
0.45 |
1 |
1 |
0.7 |
1.5 |
1.0 |
0.0189 | ||||
|
2.0 |
0.04 |
0.45 |
1 |
1 |
0.7 |
1.5 |
1.0 |
0.0189 | ||||
|
³100кОм<1МОм |
0.25 |
0.04 |
0.45 |
1 |
1 |
2.0 |
0.7 |
1.0 |
0.0252 | |||
|
³1МОм |
0.25 |
0.04 |
0.45 |
1 |
1 |
0.6 |
0.7 |
1.0 |
0.0076 | |||
|
С5-35В-25 Постоянный проволочный (нагрузочный) |
£1кОм |
- |
0.045 |
0.21 |
1 |
1 |
1.3 |
- |
- |
0.0123 | ||
|
С5-61 Постоянный проволочный |
£1кОм |
- |
Б.с.г. 0.02 |
0.21 |
1 |
1 |
1.3 |
- |
- |
0.0055 | ||
|
СП5-16ВА Переменный проволочный (подстроечный) |
0.24 Ом |
0.25 |
0.003 |
0.46 |
1 |
1 |
1.9 |
- |
- |
0.0026 | ||
|
6.8 кОм |
0.25 |
0.003 |
0.46 |
1 |
1 |
0.3 |
- |
- |
0.0004 | |||
|
Б19К-1-1 |
Сборка резисторная |
- |
0.02 |
0.47 |
1 |
1 |
- |
- |
- |
0.0094 | ||
|
Б19К-2 |
Сборка резисторная |
- |
0.02 |
0.47 |
1 |
1 |
- |
- |
- |
0.0094 | ||
|
Конденсатор |
Емкость, nф |
Uном, В |
lб*10-6,ч-1 |
Кр |
Кэ |
Кпр |
КС |
Кпс |
Апроб Аобрыв |
lэ*106, ч-1 | ||
|
К 10-17 керамический, постоянной емкости |
180 |
<1600 |
0.025 |
0.18 |
1 |
1 |
0.745 |
- |
39/2 |
0.0034 | ||
|
300 |
<1600 |
0.025 |
0.18 |
1 |
1 |
0.790 |
- |
39/2 |
0.0036 | |||
|
5600 |
<1600 |
0.025 |
0.18 |
1 |
1 |
1.127 |
- |
39/2 |
0.0051 | |||
|
104 |
<1600 |
0.025 |
0.18 |
1 |
1 |
1.208 |
- |
39/2 |
0.0054 | |||
|
1.5 104 |
<1600 |
0.025 |
0.18 |
1 |
1 |
1.268 |
- |
39/2 |
0.0057 | |||
|
105 |
<1600 |
0.025 |
0.18 |
1 |
1 |
1.592 |
- |
39/2 |
0.0072 | |||
|
К 10-23 керамический, постоянной емкости |
6.8 105 |
<1600 |
Б.с.г. 0.008 |
0.18 |
1 |
1 |
2.004 |
- |
39/2 |
0.0029 | ||
|
К 10-47А керамический, постоянной емкости |
4.7 104 |
<1600 |
0.02 |
0.18 |
1 |
1 |
1.454 |
- |
39/2 |
0.0052 | ||
|
1.5 105 |
<1600 |
0.02 |
0.18 |
1 |
1 |
1.672 |
- |
39/2 |
0.0060 | |||
|
3.3 105 |
<1600 |
0.02 |
0.18 |
1 |
1 |
1.817 |
- |
39/2 |
0.0065 | |||
|
4.7 105 |
<1600 |
0.02 |
0.18 |
1 |
1 |
1.917 |
- |
39/2 |
0.0069 | |||
|
1.5 106 |
<1600 |
0.02 |
0.18 |
1 |
1 |
2.186 |
- |
39/2 |
0.0079 | |||
|
К 50-24 оксидноэлектролит. |
£103 |
16 |
- |
0.3 |
0.38 |
1 |
1 |
1.0 |
- |
- |
0.1140 | |
|
К 50-27 оксидноэлектролит. |
£103 |
160 |
- |
0.4 |
0.38 |
1 |
1 |
1.0 |
- |
- |
0.1520 | |
|
£103 |
350 |
- |
0.4 |
0.38 |
1 |
1 |
1.0 |
- |
- |
0.1520 | ||
|
К 50-38 оксидноэлектролит. |
£103 (470) |
16 |
- |
0.12 |
0.38 |
1 |
1 |
1.0 |
- |
- |
0.0456 | |
|
£103 (2200) |
16 |
- |
0.12 |
0.38 |
1 |
1 |
1.0 |
- |
- |
0.0456 | ||
|
К 53-18 оксиднополупровод. |
2.2 |
32 |
125 |
0.1 |
0.33 |
1 |
1 |
1.0 |
1 |
18/1 |
0.0330 | |
|
6.8 |
32 |
125 |
0.1 |
0.33 |
1 |
1 |
1.0 |
1 |
18/1 |
0.0330 | ||
|
33 |
32 |
125 |
0.1 |
0.33 |
1 |
1 |
1.0 |
1 |
18/1 |
0.0330 | ||
|
10 |
40 |
0.1 |
0.33 |
1 |
1 |
1.0 |
1 |
18/1 |
0.0330 | |||
|
К 71-7 с органическим синтетическим диэлектриком. |
0.01 |
250 |
0.06 |
0.15 |
1 |
1 |
0.8 |
- |
69/6 |
0.0072 | ||
|
К 73-16 с органическим синтетическим диэлектриком. |
1.0 |
160 |
0.02 |
0.15 |
1 |
1 |
1.0 |
- |
69/6 |
0.0030 | ||
|
6.8 |
160 |
0.02 |
0.15 |
1 |
1 |
1.064 |
- |
69/6 |
0.0032 | |||
|
1.0 |
400 |
0.02 |
0.15 |
1 |
1 |
1.0 |
- |
69/6 |
0.0030 | |||
|
Б 18-1-В |
Сборка конденсаторная |
lэ=lэтабл* (Кр (45оС)/ Кр(25оС))=0.0252*( 0.11/0.05 ) [ 1. Стр 278 ] |
0.0554 | |||||||||
Другие стьтьи в тему
Р-канальный полевой транзистор с изолированным затвором
Одним
из основных достижений микроэлектроники является создание на основе
фундаментальных и прикладных наук новой элементной базы - интегральных
микросхем.
Развитие
вопросов проектирования и совершенствование технологии позволило в короткий
срок создать высокоинтегрированные функ ...
Разработка схем приемного и передающего устройств
В
цифровых системах сигналы передаются в виде различных комбинаций импульсов
постоянной амплитуды, отображающих числовое значение сигнала в каждый данный
момент времени (кодовыми группами).
Чтобы
каждое значение сигнала можно было преобразовать в соответствующую кодовую
группу, к ...