Радиоэлектроника и телекоммуникации
Затухание в оптическом волокне - это мера ослабления оптической мощности, распространяемой вдоль ОВ.
Коэффициент затухания в ОВ - это величина затухания на единице длины волокна, выражается в дБ/км и определяется по формуле:
,
где - собственные потери ОВ;
- дополнительные или кабельные потери.
Собственные потери выражаются в виде:
,
где - потери на рассеяние энергии;
- потери на поглощение;
- потери на поглощение в инфракрасной области излучения;
- потери на поглощение энергии посторонними примесями.
В данном курсовом проекте мы учитываем только потери на поглощение и рассеяние оптической мощности, так как поглощение в инфракрасной области излучения и за счет примесей имеет место на длинах волн более 2 мкм.
Затухание на поглощение связано с потерями на диэлектрическую поляризацию и существенно зависит от свойств материала ОВ,
, дБ/км,
где - показатель преломления сердечника;
λ - длина волны, км;
- тангенс угла диэлектрических потерь в ОВ, .
Затухание на рассеяние обусловлено неоднородностями материала и тепловыми флуктуациями показателя преломления и рассчитывается по формуле:
, дБ/км,
где - постоянная Больцмана, Дж/К;
- температура перехода стекла в твёрдую фазу, К,
- коэффициент сжимаемости, м2/Н;
λ - длина волны, м.
, дБ/км
, дБ/км
Кабельное затухание рассчитывается как сумма 7 составляющих:
,
где - затухание вследствие термомеханических воздействий на волокно в процессе изготовления кабеля;
- затухание вследствие температурной зависимости коэффициента преломления ОВ;
- затухание на микроизгибах ОВ;
- затухание вследствие нарушения прямолинейности ОВ, затухание на макроизгибах;
- затухание вследствие кручения ОВ вокруг оси;
- затухание из-за неравномерности покрытия ОВ;
- затухание вследствие потерь в защитной оболочке.
Расчёту подлежат затухания за счёт макро - и микроизгибов. Затухание за счёт излучения при микроизгибах для одномодовых оптических волокон рассчитывается по формуле:
дБ/км,
Другие стьтьи в тему
Р-канальный полевой транзистор с изолированным затвором
Одним
из основных достижений микроэлектроники является создание на основе
фундаментальных и прикладных наук новой элементной базы - интегральных
микросхем.
Развитие
вопросов проектирования и совершенствование технологии позволило в короткий
срок создать высокоинтегрированные функ ...
Разработка шлирен–проектора для контроля объективов
Оптический контроль основан на анализе взаимодействия оптического
излучения с объектами контроля. В качестве объектов контроля могут служить
материалы и изделия, технологические процессы и параметры окружающей среды.
Для получения измерительной информации об объекте контроля использ ...