Расчет усилителя импульсов

Рис.2.9. Принципиальная схема усилителя импульсов и выходного устройства

На схеме: ТИ - импульсный трансформатор с числом витков и . Отсюда :

Величина напряжения импульса:

По справочным данным находим величину тока управления для силовых тиристоров. Для тиристора Т25-7:

Приняв падение напряжения на диоде VD4 и управляющем электроде тиристора по 0,7 В определим эквивалентное значение сопротивления:

Определим значение сопротивления цепи управляющего электрода тиристора

,

где - напряжение импульса,

величина тока управления открытия тиристора

Для ограничения тока при открывании нужно сопротивление :

Принимаем из стандартного ряда:

Выбираем VD3 по требуемому напряжению стабилизации 12 В. По справочнику выбираем стабилитрон: Д815Д:

Выбираем VD4 по прямому и обратному напряжению с коэффициентом запаса равным 2:

По справочнику выбираем VD4 - 2Д504А:

Рассчитаем параметры транзисторов:

Найдём ток в первичной обмотке трансформатора

Требуемый коэффициент передачи базового тока транзисторов VT1 и VT2:

,

где - выходной ток “И”.

Выбираем транзисторы КТ801Б со следующими параметрами:

коэффициент усиления тока базы ;

максимальный ток коллектора ;

максимальное значение напряжения между коллектором и эмиттером ;

напряжение коллектор-эмиттер при насыщении .

Пересчитываем ток базы транзистора VT1, взяв минимальное значение коэффициента усиления тока

.

Рассчитываем сопротивление R3

Принимаем R3 = 11 Ом.

Определяем величину сопротивления R1:

Принимаем R1 = 12 кОм.

где выходное напряжение элемента “И”

Для уменьшения начального тока коллектора транзистора VT2 ставим сопротивление R2 = 1,2 кОм.

Выбираем диоды VD1 - КД503А с прямым током 20 мА и обратным напряжением 30 В, VD2 - 2Д504А с прямым током 300 мА и обратным напряжением 40 В.

Рассчитаем и (задающие входной сигнал АЦП). Определим число в десятичной форме, которое будет соответствовать углу

Другие стьтьи в тему

Разработка преобразователя разности фаз в постоянное напряжение
Разработка преобразователя разности фаз двух сигналов в постоянное напряжение со следующими параметрами: · Частота входных сигналов 10кГц - 100 кГц; · Входное напряжение 50мВ - 5В; · Диапазон измерения ∆φ 0 - 180о ...

Р-канальный полевой транзистор с изолированным затвором
Одним из основных достижений микроэлектроники является создание на основе фундаментальных и прикладных наук новой элементной базы - интегральных микросхем. Развитие вопросов проектирования и совершенствование технологии позволило в короткий срок создать высокоинтегрированные функ ...