Радиоэлектроника и телекоммуникации
Выбор резисторов:
Максимальную рассеиваемую мощность резисторов можно определить как:
где - ток коллектора транзистора КТ399А
- напряжение питания
Поэтому необходимо выбирать резисторы с номинальной мощностью, не менее 0,01Вт
Резистор R5 шунтирует колебательный контур частотного детектора, задавая тем самым необходимую крутизну и линейность как АЧХ так и ФЧХ контура, поэтому оно должно обладать стабильными параметрами. Применим резистор серии С2-23 обладающий:
Допуском
2.
1. Диапазоном рабочих температур - 600С¸+700С
2. Номинальной мощностью 0.062Вт
3. Номинал сопротивления: R5=39кОм
Резистор R6 является подтягивающим поэтому не требует высоких параметров. Применим резистор серии С2-23 обладающий:
Допуском
2.
1. Диапазоном рабочих температур - 600С¸+700С
2. Номинальной мощностью 0.062Вт
3. Номинал: R6=10 кОм.
Конденсаторы С9, С20, С15, С16, С13, С12 являются разделительными, а конденсаторы
С18, С19 задействованы в цепочке стабилизации питания, поэтому к ним предъявляются невысокие требования. Применим для конденсаторов С9, С20, С15, С16, С13, С12, С19 серию КБГ-И обладающие:
Допуском
Изменение емкости, не более
1. Диапазон рабочих температур - 600С¸+700С
2. Номинальным напряжением 200В
3. Номинальная ёмкость:
С9 =С15= С16=0,01мкФ
С20=0,001мкФ
С12 =С13= С19=0,1мкФ
Для конденсатора С18 (полярный) применим серию К53-1 обладающая:
Допуском
1. Изменением емкости, не более +50%
2. Диапазон рабочих температур - 600С¸+850С
3. Номинальным напряжением 6,3В
4. Номинальная ёмкость: С18=1мкФ
Конденсаторы С11, С10 задействованы в цепочке обратной связи второго гетеродина, конденсатор С14 задействован в колебательном контуре частотного детектора, поэтому их параметры должны быть стабильными. Применим конденсаторы серии К22-5 обладающие:
1. Диапазоном рабочих температур: - 600С¸+850С
Допуском .
3.
1. Номинальным напряжением 25В
2. Номинальная емкость:
С11 =51пФ,
С10 =120пФ,
С14 =180пФ.
Другие стьтьи в тему
Разработка стенда для исследования схемы синхронного RS-триггера
Одним
из ведущих направлений развития современной микроэлектроники элементной базы
являются большие интегральные микросхемы памяти, которые служат основой для
построения запоминающих устройств в аппаратуре различного назначения. Наиболее
широкое применение эти микросхемы нашли в ЭВМ, ...
Разработка систем автоматического регулирования с использованием логарифмических частотных характеристик
Целью
данной курсовой работы является освоение методики анализа и синтеза систем
автоматического регулирования с использованием логарифмических частотных
характеристик и уточненных расчетов на ЭВМ.
Проектирование
системы автоматического регулирования (САР) выполняется по заданной
...