Расчёт числа последовательно включенных вентилей.

Uог(при Iи=0)=Uио·Ки·=3492,1·1,25·cos 36,9=4298,8В.ог(при Iи=Iин)= Uио*Ки(cos-0,5Uк%/100)= 3492,1·1,25(cos-0,5·11/100)=4058,7В

Углы коммутации ВИП (эл.град.)

Выпрямителя:

=arccos(1-2·I·Xав/2,45·U2в)

При Id=0,5·Idн =arccos(1-3000·0,0825/2,45·1492,3)=21,2 эл.град

При Id=Idн =arccos(1-2·3000·0,0825/2,45·1492,3)=30,2 эл.град

Инвертора:

() - cos = Iи·Xаи/2,45·U2и

при Iи=0,5·Iин = 7,1 эл.град

при Iи=Iин = 16,2 эл.град

Коэффициенты мощности ВИП

Выпрямителя:

·cos(/2), =0,955

При Id=0,5·Idн = 0,955·сos(0,5·21,2)=0,939

При Id=Idн = 0,955·сos(0,5·30,2)=0,922

Инвертора:

cos(/2) , =0,955

При Iи=0,5·Iин =0,955·cos(36,9-0,5·7,1)=0,798

При Iи=Iин =0,988·cos(36,9-0,5·16,2)=0,837

Максимальные токи инвертора:

При работе инвертора по естественной характеристике:

При =constи1max=100/(Uк%)·Iин·(1-cos)=100/(11)·2400·(1-cos36,9)=4032,2 А

При работе инвертора по искусственной характеристике:

При Uи=Uио=Udо

Iи2max =100/(0,5· Uк%)·Iин·(1-cos)=100/(0,5·11)·2400·(1-cos36,9)=8064,3А

Расчёт параметров устройства выравнивания напряжения

Выпрямитель на вентилях - В8-200

Шунтирующее сопротивление

Ш=(Nпосл·Uп-Uвmax)/(Nпосл-1)·Nпар·Iomax·0,001=(2·4200-3649)/(2-1)·7·40·0,001 =16967Ом

Мощность резистора RШ

=Iomax·0,001·Nпар·Uвmax/Nпосл=40·0,001·7·3649/2=510,9 Вт,

где Iomax - максимальный обратный ток вентиля.

Ёмкость шунтирующего конденсатора Cв=Nпар=7 мкФ.

Рабочее напряжение шунтирующего конденсатора Uc=1,5·Uп=1,5·4200=6300 В.

Rв=1,43 Ом, Rс=0,2 Ом.

Другие стьтьи в тему

Разработка охранной системы с цифровой индикацией
Темой данного курсового проекта является разработка охранной системы с цифровой индикацией. Объектом исследования являются процессы передачи сигнала от датчика к устройству управления. Предметом исследования являются датчики, которые должны реагировать на взлом. Це ...

Разработка и изготовление лабораторного стенда по изучению вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов
Целью данной работы является разработка и создание прибора, предназначенного для изучения полупроводниковых диодов. Для исследования нами был выбран полупроводниковый диод, который наиболее характерно отражает почти все особенности и свойства полупроводниковой техники в целом и являе ...