Радиоэлектроника и телекоммуникации
Интенсивность отказов l характеризуется отношением числа отказавших изделий в единицу времени к числу изделий, продолжающих оставаться исправными к началу рассматриваемого промежутка времени:
(5.5)
где m - число изделий, отказавшихся за время t;- число изделий к началу промежутка времени.
Если предложить, что отказы различных элементов взаимно независимы, и каждый отказ носит катастрофический характер, т.е. полностью нарушает работоспособность, то интенсивность отказов устройства сумме интенсивностей отказов элементов составляющих устройство.
(5.6)
где li - интенсивность отказов элементов i - го типа;
Сi - количество элементов i -го типа, входящих в устройство.
Наработка на отказ равна:
(5.7)
Интенсивность отказов следующая:
Микросхемы 1200Й серии: 0,85 ×10-6 (1/ч);
Резисторы: 0,9 ×10-6 (1/ч);
Тогда,
l = (17××0,85+2×0,9) ×10-6 = 8,25 ×10-6 (1/ч),
Т = 1/16,25 ×10-6 = 0,062 ×10-6 = 4,2 ×10-4 (ч).
Вероятность безотказной работы определим по формуле:
P=e-λt (5.8)
P=2,72-4,2×0,0008×100 = 0,5
Allbest.ru
Другие стьтьи в тему
Расчет дальности действия радиолокационной станции в различных условиях помеховой обстановки
Параметры
РЛС
№
вар Тип сигнала кВт
град
градD
4
КФМ
200
30
5
180
...
Р-канальный полевой транзистор с изолированным затвором
Одним
из основных достижений микроэлектроники является создание на основе
фундаментальных и прикладных наук новой элементной базы - интегральных
микросхем.
Развитие
вопросов проектирования и совершенствование технологии позволило в короткий
срок создать высокоинтегрированные функ ...