Расчет освещенности в области экрана

При ведении контроля объективов световой поток от галогеновой лампы проходит через систему линз, в том числе через контролируемый объектив, и попадает на экран.

По качеству пятна на экране, наличию неравномерного освещения, правильности формы пятна, при перекрывании светового пучка шторкой, можно судить о качестве контролируемого объектива. Нам необходимо рассчитать освещенность в области экрана.

Световой поток, падающий на линзу без отражателя, находится по формуле:

, (4.1)

где Фл - световой поток, излучаемый лампой;

ω - телесный угол, в котором распространяется этот поток.

Телесный угол рассчитывается по формуле:

(4.2)

где - диаметр линзы, мм;

f - фокусное расстояние линзы.

Световой поток, падающий на линзу от отражателя, найдем по формуле:

(4.3)

где Фл - световой поток, излучаемый лампой;

- диаметр линзы, мм;

- диаметр отражателя, мм;

Найдем суммарный поток, падающий на линзу:

(4.4)

где - световой поток, падающий на линзу без отражателя;

- световой поток, падающий на линзу от отражателя.

Найдем поток излучения, который падает на экран.

(4.5)

где - поток излучения галогеновой лампы,

К = 0.99 - коэффициент пропускания просветленной линзы, так как у нас пять линз, то этот коэффициент берем в десятой степени (в квадрате для каждой линзы).

Найдем освещенность в области экрана.

(4.6)

где - площадь засвеченной части экрана.

- поток излучения галогеновой лампы

Выводы по результатам проектирования

В данной курсовой работе мы разработали шлирен-проектор для контроля качества объективов, а также рассчитали освещенность в области экрана. Данное устройство позволяет визуально наблюдать качество объектива, на экране можно сразу увидеть практически любой недостаток линз: различные аберрации, неоднородности и др.

Другие стьтьи в тему

Расчет радиоприемника СВ диапазона
Тема моего курсового проекта расчёт радиоприёмника СВ диапазона. Радиоприёмник предназначен для приёма диапазона СВ и дальнейшего воспроизведения. Место установки радиоприёмника - стационарное. Курсовой проект является завершающим этапом изучения дисциплины “Радиоэлектронные ус ...

Р-канальный полевой транзистор с изолированным затвором
Одним из основных достижений микроэлектроники является создание на основе фундаментальных и прикладных наук новой элементной базы - интегральных микросхем. Развитие вопросов проектирования и совершенствование технологии позволило в короткий срок создать высокоинтегрированные функ ...