Типы ИМС, конструкция элементов и компонентов

Интегральная микросхема (ИМС) - вполне установившийся термин, означающий конструктивно законченное изделие микроэлектронной техники, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки информации (сигнала), изготовленное в едином технологическом цикле, воспринимаемое (неразделимой частью) как компонент в устройстве электронной техники.

Интегральные микросхемы чаще всего имеют ряд общих конструктивных признаков рис.1.

Рисунок 1. Конструкция интегральной микросхемы.

-подложка или кристалл; 2-корпус; 3-крышка; 4-внешние выводы; 5-гибкие выводы.

Основной, определяющей тип ИМС, частью является подложка или кристалл 1. В ней или на ее поверхности формируются элементы, реализующие схемотехническую задачу. Корпус 2, крышка 3, внешние 4 и гибкие 5 выводы выполняют ряд вспомогательных задач: защиту от внешних воздействий, коммутацию входных и выходных сигналов, удобство монтажа и т.п.

В зависимости от типа подложки и способа реализации элементов различают полупроводниковые и пленочные ИМС.

В полупроводниковых ИМС элементы выполняются непосредственно в поверхностном слое на небольшом расстоянии друг от друга с коммутацией в виде тонкопленочных дорожек на поверхности рис.2.

В полупроводниковых ИМС выполняются с хорошей воспроизводимостью выходных параметров активные элементы (транзисторы, диоды и др.), в то же время нерационально из-за большой площади изготавливать пассивные элементы.

Эта особенность позволяет выполнять множество различных устройств типа генераторов, пускателей, детекторов и др. Применение таких ИМС дает существенное уменьшение веса (массы), габаритов, снижения энергопотребления, повышения надежности. На полупроводниковых ИМС удается организовать наиболее компактные устройства.

В пленочных ИМС элементы выполняются на поверхности пассивной подложки (стекло, керамика, ситалл и др.) в виде тонких и толстых пленок.

Рисунок 2. Полупроводниковые элементы ИМС.

-подложка кремневая; 2-плонарный транзистор; 3-интегральный резистор.

В пленочных ИМС затруднительно получение активных элементов, однако есть прекрасные возможности для формирования всего набора пассивных (резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и др.) элементов достаточно широкого диапазона номиналов с хорошей воспроизводимостью.

Транзисторы со структурой МДП представляют собой одну из разновидностей полевых транзисторов - активных полупроводниковых приборов, в которых используются эффекты дрейфа основных носителей под действием продольного электрического поля и модуляции дрейфового тока поперечным электрическим полем. Действие полевых транзисторов основано на перемещении только основных носителей заряда в полупроводниковом материале, в связи, с чем эти транзисторы называют униполярными в отличие от биполярных, использующих оба типа носителей.

МДП-транзисторы имеют существенные преимущества перед биполярными по конструкции (размеры и занимаемая ими площадь относительно невелики, в принципе, отсутствует необходимость их изоляции) и электрофизическим параметрам (низкий уровень шумов, устойчивость к перегрузкам по току, высокие входное сопротивление и помехоустойчивость, малая мощность рассеивания, низкая стоимость).

Другие стьтьи в тему

Разработка устройства кодирования двухкаскадным способом
Эффективная организация обмена информацией приобретает все большее значение, прежде всего как условие успешной практической деятельности людей. Объем информации, необходимой для нормального функционирования современного общества, растет в соответствии с развитием производстве ...

Расчет выпрямителя напряжения
Выбрать схему выпрямителя источника питания, начертить ее, определить требования к изделиям, входящим в его состав, а также рассчитать данные для проектирования трансформатора. Источник питания работает от сети с напряжением, U1, с частотой, fс, изменения напряжения возможны в пр ...