Формирование p - n переходов

Сплавление полупроводникового кристалла с металлами или их сплавами - это технологический процесс, который состоит в том, что в пластину вплавляют металл или сплав металла, содержащий примеси, необходимые для создания зоны с электропроводностью требуемого типа. Для сплавления полупроводника с металлами на пластину полупроводника помещают таблетку примеси. Затем систему нагревают до температуры, при которой примесь плавится и начинается частичное растворение материала полупроводника в примесном материале. После охлаждения в полупроводнике образуется область с электропроводностью требуемого типа. Такие переходы относятся к числу ступенчатых. Они имеют высокую надежность, работоспособность при больших обратных напряжениях, имеют низкое собственное сопротивление.

Электрохимический метод получения переходов. Основан на электрохимическом осаждении металла на поверхность полупроводника, в результате образуется контакт металл - полупроводник, свойства которого зависят от характеристик материалов. Этот метод применяют для получения элементов с минимальными расстояниями между переходами.

Диффузия - процесс, с помощью которого на поверхности или внутри пластины получают p - или n - области путем введения акцепторных или донорных примесей. Проникновение примесей в внутрь пластины полупроводника происходит за счет диффузии атомов, находящихся в составе паров, в атмосферу которых помещена нагретая пластина. Наибольшая концентрация примеси находится у поверхности пластины, с увеличением расстояния от поверхности вглубь пластины концентрация примеси уменьшается. P - n переход возникает в области, где концентрация носителей заряда близка к той, которая имеется у материала без примеси (при собственной электропроводности).

Другие стьтьи в тему

Разработка кабельной системы
Структурированная кабельная система (СКС), по мнению большинства специалистов по информационным технологиям, является в настоящее время неотъемлемой частью любого современного общественного здания, а ее отсутствие, рассматриваемое управленческим и техническим персоналом как анахрониз ...

Распределитель импульсов
Разработать распределитель импульсов, формирующий на выходах Z1 и Z2 их N входных импульсов (от ГТИ) указанные последовательности. Реализация на основе сдвигового регистра, двоичного счетчика. Последовательности выбираются из 4х вариантов. Были выбраны 1 и 3 режим: Z1 ...