Радиоэлектроника и телекоммуникации
Таблица 5. Значения интенсивностей отказов ЭРИ в составе микросборок
Таблица 6. Значения интенсивностей отказов импортных изделий, применяемых в ЭЧ САУ ГТЭС
Наименование импортного изделия |
Дополнительные сведения |
lэ*106, ч-1 импортного изделия | ||
тип отечественного изделия- аналога |
исходные данные по расчетуlэ отечественного аналога | |||
Плата 5066 (ЦП) |
- |
- |
6.2 | |
UN10 96-5 |
- |
- |
10.0 | |
Плата 5300 |
- |
- |
0.8879 | |
Плата 5600 |
- |
- |
0.674 | |
Блок питания ZX200 |
- |
- |
2.2 | |
Блок питания ZX550 |
- |
- |
2.5 | |
Блок питания 5124 |
- |
- |
0.8333 | |
Конвертер ADAM4520 |
- |
- |
16.9 | |
Преобразователи Gray Hill (типа 73 GITCK, 73GOI420, 70GIDC, 70GODC и т.п.) |
- |
- |
4.0 | |
Кабели VTC-9F, VTC-9M |
- |
- |
4.5 | |
Тактовая кнопка типа SWT |
- |
- |
1.65 | |
Микросхема MAX 232 EPE |
H559ИП11(цифровая) |
Количество элементов - 353, lб.с.г.=0.017 *10-6 ч-1;Кст=1.52; Кi=1 |
0.0258 | |
Микросхема MAX 951 EPА |
521СА3 (аналоговая) |
Данные по расчету приведены в табл.1 (Приложение 1) |
0.0366 | |
Микросхема MAX 1480А |
Аналоговая (среднегрупповая) |
Для аналоговых М/схем lэтабл.=0.023 *10-6 ч-1(при tокр.ср.=+30оС) Для tокр.ср.=+45оС: lэ =lэтабл* Кст(+45оС).=0.023* Кст(+35оС) *10-6 *1.59 = 0.0324 *10-6 1.13 |
0.0324 | |
Микросхема MAX 1490 BEPG |
Аналоговая (среднегрупповая) |
Для аналоговых М/схем lэтабл.=0.023* 10-6 ч-1(при tокр.ср.=+30оС) Для tокр.ср.=+45оС: lэ =lэтабл* Кст(+45оС).=0.023* Кст(+30оС) *10-6 *1.59 = 0.0324 *10-6 1.13 |
0.0324 | |
Микросхема SI 9434 DY |
590КН5 (аналоговая) |
Данные по расчету приведены в таблице 1 (Приложения 1) |
0.0847 | |
Микросхема АТ89С2051-24PI |
1806ВМ2(микропроцессор) |
Количество элементов - 134636, lб.с.г.=0.017 *10-6 ч-1;Кст=13.65; Ккорп=1; Кv=1; Кис=1; Кэ=1; Кпр=1 |
0.2320 | |
Резонатор кварцевый 11059 кГц |
РК319(4-20 МГц) |
lб=0.02 *10-6 ч-1;Кт=1.64; Кэ=1; Кпр=1 |
0.0328 | |
Резонатор кварцевый 24.0 МГц |
РК32(18-30 МГц) |
lб=0.034 *10-6 ч-1;Кт=1.47; Кэ=1; Кпр=1 |
0.05 | |
Оптопреобразователь DEK-OE-24DC |
30Т127А, три 2D213A, один светодиод КИПМО1Б |
Из таблицы 1 (Приложения 1): lэ”ЗОТ127А”=0.1242 *10-6 ч-1; lэ”КИПМО1Б”=0.0272 *10-6 ч-1; lэ”2D213A”=0.0076 *10-6 ч-1 |
0.18 | |
Оптопреобразователь DEK-OE-230АC |
30Т127А, три 2D213A, один светодиод КИПМО1Б, один резистор, один конденсатор |
Из таблицы 1 (Приложения 1): lэ”ЗОТ127А”=0.1242 *10-6 ч-1; lэ”КИПМО1Б”=0.0272 *10-6 ч-1; lэ”2D213A”=0.0076 *10-6 ч-1; lэ”резистор”=0.003 *10-6 ч-1; lэ”конденсатор”=0.006 *10-6 ч-1; |
0.19 | |
Оптопреобразователь EMG 17-OV-5DC |
- |
Полагаем: lэ”EMG”£lэ”DEK-OE-24DC» |
0.18 | |
Реле WAGO (типа 286-571, 286-386) |
РЭС 80 (два переключающих контакта) |
Из таблицы 1 (Приложения 1): lэ =0.0007 *10-6 ч-1; |
0.0007 | |
Вставка плавкая SI FORMC Предохранитель VIOK-15; UK5-HESI; UK-6FSI |
ВП-1 или ВП-6 |
lб”ВП-6”=0.03* 10-6 ч-1;Кт=2.23; Кэ=1; Кпр=1 |
0.067 | |
Чип-конденсатор CO 603 NPO-16B |
К10-17…К10-60 (керамические) |
lб =0.02 *10-6 ч-1;Кр=0.18; Кэ=1; Кпр=1 |
Кс=1.2 (6.8нф) |
0.0043 |
Кс=1.6 (22нф; 33нф; 100нф) |
0.0058 | |||
Кс=2.1 (150нф) |
0.0076 | |||
Чип-конденсатор танталовый |
К52 (объемно пористый танталовый) |
lб =0.125 *10-6 ч-1;Кр=0.18; Кэ=1; Кпр=1 |
Кс=0.5 (1мкф) |
0.0112 |
Кс=0.6 (2мкф) |
0.0135 | |||
Кс=0.9 (22мкф) |
0.0202 | |||
Кс=1.3 (68нф) |
0.0292 | |||
Чип-резистор R/C 1206-0,125 |
Постоянный непроволочный (среднегрупповой) |
lб.с.г. =0.04* 10-6 ч-1;Кр=0.45; Км=0.7; Кэ=1; Кпр=1; Кстаб=1 |
КR=1.0 (R<1кОм) |
0.0158 |
КR=0.7 (R³1кОм<100кОм) |
0.0110 | |||
КR=2.0 (R³100кОм<1МОм) |
0.0315 | |||
Штеккер ST-K4, ST-BE |
СР-50 (соединитель радиочастотный) |
lб.с.г. =0.012 *10-6 ч-1; tраб=tо.с.+5оС; Кт=1.6; Кэ=1; Кпр=1; Ккк=1.36 (2 контакта); Ккс=0.32 (n=1-25) |
0.0084 | |
Источник бесперебойного питания UPS ( составные части UPS: химический источник тока, транзисторные ключи, трансформатор статических преобразователей, выпрямительные диоды) |
Отечественные аналоги составных частей UPS: химический источник тока - щелочной аккумулятор типа НКГК-3С; переключающие транзисторы типа 2Т834А (2шт.); трансформатор статических преобразователей типа ТПр13; выпрямительные диоды типа 2D213A (2шт). |
lэ”НКГК-3С”=1.9 *10-6 ч-1 [1,т.Ш]; данные по расчету lэ транзистора 2Т834А приведены в табл.1 Приложения 1: lэ =2*lэ”2Т834А”=2*0.0080*10-6 ч-1; математическая модель для расчета lэ трансформаторов: lэ =lб Кт Кэ Кпр, где lб= 0.06 *10-6 ч-1;Кэ=1; Кпр=1; для определения Кт найдена температура перегрева tп=18.49оС, соответствующая коэффициенту нагрузки Кн=0.4 и tпТУ=50оС,и найдена температура максимально нагретой точки обмотки tм=tокр.ср.+tп=63.5оС. Отсюда Кт= 3.65 (для tокр.ср.ТУ=85оС); lэ =0.06*10-6* 3.65*1*1=0.219* *10-6 ч-1; 4)данные по расчету lэ диода 2D213А приведены в табл.1 Приложения 1: lэ =2 lэ”2D213А»= 2* 0.0076 *10-6 = = 0.0152 *10-6 ч-1 |
2.1502 | |
lSаналога = S li= 1.9 *10-6 + +0.0160 *10-6+ 0.219 *10-6 + +0.0152* 10-6= 2.1502 *10-6 ч-1 | ||||
Низкочастотные соединители: а) типа IDS, MSTB, MOLEX и т.д.; б) типа DB9F/ |
a) низкочастотный соединитель для печатного монтажа типа CHП 58; |
а) математическая модель для расчета lэ соединителей: lэ =lб *Кр *Ккк *Ккс* Кэ *Кпр, где lб= 0.00112* 10-6 ч-1;Кэ=1; Кпр=1; коэффициент, зависящий от сочленений-расчленений, Ккс=0.32 (для реального применения в диапазоне n=1-25); коэффициент режима выбран равным Кр=0.88 (для температуры перегрева контактов tп£30оС); значение Ккк зависит от количества задействованных контактов (см.ниже): |
а) 0.00049-0.00161 ( в зависимости от значения Ккк); б) 0.00069-0.00073 ( в зависимости от значения Ккк) | |
Кол-во контактов |
Ккк | |||
3 4 6 8 10 12 15 16 18 19 20 21 23 24 27 |
1.55 1.72 2.02 2.3 2.58 2.86 3.28 3.42 3.71 3.86 4.00 4.16 4.47 4.62 5.11 | |||
б) Математическая модель прежняя: lб=0.00106 *10-6 ч-1;Кпр=1; Кэ=1; Ккс=0.32; Кр=0.88; Ккк=2.3 (для 8 контактов) и Ккк=2.44 (для 9 контактов) | ||||
Кабель “3107 Belden» |
- |
- |
0.45 | |
Сетевой фильтр PILOT |
Электрический шнур связи типа ШМП ЭВ |
Математическая модель для расчета lэ: lэ =lб *Кt *L *Кэ, где lб= 0.072 *10-6 ч-1;Кэ=1; зависимостью lэ от длины L пренебрегаем, т.к. L<3м; коэффициент Кt=2.7 (для энергии активации Eа=38 кДж/моль). |
0.1944 |
Другие стьтьи в тему
Разработка измерительного канала температуры на основе бесконтактных методов
Без грамотного построения измерительного канала невозможно построить
систему автоматического регулирования и управления технологическим процессом
(АСУТП). Данный курсовой проект дает возможность не только в теории, но на
практике познать сущность проблемы проектирования измерительных ...
Расчет импульсного преобразователя сетевого напряжения
На рисунке 1.1 приведена структурная схема повышающего преобразователя
напряжения на микросхеме KP1156EУ5.
Рисунок 1.1- Структурная схема повышающего преобразователя напряжения на
микросхеме KP1156EУ5
Структурная схема приведенного устройства состоит из входного ...