Определение затрат, связанных с разработкой БУШ ДГ

Таблица 2. Значения интенсивностей отказов полупроводниковых ЭРИ на платах САУ ГТЭС

Тип элемента

Характеристика элемента

Исходные данные

lэ*106, ч-1

 

Полупроводник

подгруппа

Uраб,В

режим работы

lб*106,ч-1

Кр

Кэ

Кпр

Кф

Кs1

Кдн

 

2Д206А диод

Кремниев

S1< 60%

выпрямитель

0.06

0.0958

1

1

1.5

0.7

1.0

0.0060

2Д212А диод

Кремниев

переключатель

0.28

0.0958

1

1

0.6

0.7

0.6

0.0068

2Д213А диод

Кремниев

переключатель

0.19

0.0958

1

1

0.6

0.7

1.0

0.0076

КД226В диод

Кремниев (импул)

27

переключатель

0.09

0.0948

1

1

0.6

0.7

0.8

0.0029

2Д510А диод

Кремниев (импул)

Переключатель Аналог. выпрямитель

0.016

0.0958

1

1

0.6

0.7

0.6

0.0004

 

1.0

0.0006

 

1.5

0.0010

 

2С108А стабилитрон

0.003

0.2899

1

1

-

-

-

0.0009

 

2С133В стабилитрон

0.012

0.2899

1

1

-

-

-

0.0035

 

2С175Ж стабилитрон

0.0032

0.2899

1

1

-

-

-

0.0009

 

2С527А стабилитрон

0.0026

0.2899

1

1

-

-

-

0.0008

 

2С530А стабилитрон

0.0026

0.2899

1

1

-

-

-

0.0008

 

2С551А стабилитрон

0.0026

0.2899

1

1

-

-

-

0.0008

 

Д818Г стабилитрон

0.0019

0.2899

1

1

-

-

-

0.0006

 

2Т504А транзистор

Биполярный кремниев

переключатель

0.048

0.1902

1

1

0.7

0.5

1.0

0.0032

 

2Т505А транзистор

Биполярный кремниев

переключатель

0.048

0.1902

1

1

0.7

0.5

0.8

0.0026

 

2Т630А транзистор

Биполярный кремниев

Аналог.

0.17

0.1902

1

1

1.5

0.5

0.5

0.0122

 

2Т653А транзистор

Биполярный кремниев

переключатель

0.048

0.1902

1

1

0.7

0.5

0.8

0.0026

 

2Т827А транзистор

Биполярный кремниев

переключатель

0.048

0.1902

1

1

0.7

0.5

2.5

0.0080

 

2Т834А транзистор

Биполярный кремниев

переключатель

0.048

0.1902

1

1

0.7

0.5

2.5

0.0080

 

2Т842А транзистор

Биполярный кремниев

переключатель

0.048

0.1902

1

1

0.7

0.5

1.3

0.0042

 

2Т862Г транзистор

Биполярный кремниев

переключатель

0.048

0.1902

1

1

0.7

0.5

1.3

0.0042

 

2Т3117А транзистор

Биполярный кремниев (свч)

переключатель

0.074

0.3129

1

1

0.7

0.5

0.5

0.0040

 

2ТС622А сборка транзистор

кремниев

переключатель

0.2

0.1902

1

1

0.7

0.5

5.0

0.0666

 

КИП МО1Б светодиод

импульс

0.1

0.272

1

1

-

-

-

0.0272

 

3Л341Г индикатор

Без встроенного управления

Непрер.

0.05

0.566

1

1

-

-

-

0.0283

 

3Л341К индикатор

Непрер.

0.05

0.43

1

1

-

-

-

0.0215

 

ТЛО-1-16 оптопара

Аналог (АЛ107А,Б)

Непрер.

0.1

0.471

1

1

-

-

-

0.0471

 

3ОТ 127А оптопара

транзисторный

Непрер.

0.23

0.54

1

1

-

-

-

0.1242

 
Перейти на страницу: 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18

Другие стьтьи в тему

Разработка системы подводного гидроакустического позиционирования нефтедобывающего комплекса
В последние годы большим спросом стали пользоваться подводные работы с использованием систем подводного гидроакустического позиционирования (ГСП). Данные системы широко применяются при поиске углеводородов, находящихся на морском дне, укладке подводных трубопроводов, обследовании под ...

Разработка электронного устройства
Разработка структурной схемы ...

Разделы

Радиоэлектроника и телекоммуникации © 2024 : www.techelements.ru