Радиоэлектроника и телекоммуникации
Минимальные достижимые затухания контуров и значения коэффициента шунтирования
Диапазон частот, МГц |
Затухание контура Коэффициент | ||
для полевых транзисторов |
для биполярных транзисторов | ||
0,1 0,1…0,2 0,2…0,4 0,4…0,6 0,6…1,0 1,0…5,0 5,0…30,0 30,0…300 300…1000 |
0,1…0,02 0,006…0,01 0,004…0,006 0,003…0,004 0,003…0,004 0,004…0,005 0,005…0,006 0,006…0,01 0,0003…0,004 |
1 1 1 1 1 1 1,1 1,2 1,3 |
1,4…1,6 1,5…1,7 1,6…1,8 1,7…1,9 1,8…2,0 2,0…2,2 2,2…2,5 2,5…3,0 3.0…10 |
Значения эквивалентной ёмкости контура на различных частотах
0,30,3-1,51,5-66-3030-100>100 | ||||||
500-300300-200200-100100-5050-15<15 |
Минимальные значения индуктивностей катушек контуров, которые можно допускать на различных частотах
0,1-0,50,5-1,01-55-1010-2020-4040-500 | |||||||
1000-400400-250250-2020-1010-55-0,80,8-0,01 |
Собственное затухание контура
Диапазон волн |
ДВ |
СВ |
КВ |
МВ |
0,02-0,01250,0125-0,0080,006-0,0050,01-0,005 |
Обозначение |
Наименование |
Кол. |
Примечание |
Конденсаторы ГОСТ 5.621-70 | |||
Ср1, Ср2 |
К22-5-М470-680пФ ±10% |
2 | |
Сф1, Сф2 |
К22-5-М470-1000пФ ±10% |
2 | |
Сэ1, Сэ2 |
К22-5-М75-1,5нФ ±1% |
2 | |
С1 |
К22-5-М75-3пФ ±1% |
1 | |
С2, Ср3 |
КТ4-25-1/5 |
2 | |
С5, С7 |
К22-5-М75-10пФ ±1% |
2 | |
С6 |
К22-5-М75-82пФ ±1% |
1 | |
С8 |
К22-5-М75-56пФ ±1% |
1 | |
С10 |
К22-5-М75-120пФ ±1% |
1 | |
С11 |
К22-5-М75-51пФ ±1% |
1 | |
С12, С13, С19 |
КБГ-И-200В-0,1мкФ -В |
3 | |
С14 |
К22-5-М75-180пФ ±1% |
1 | |
С15, С16 |
КБГ-И-200В-0,01мкФ -В |
2 | |
С19 |
К53-1-6,3В-1мкФ ±1% |
1 | |
С20 |
КБГ-И-200В-0,001мкФ -В |
1 | |
Резисторы ГОСТ 17598-72 | |||
R1,R3 |
С2-23-0,062-5,1кОм±1% А-Б-В |
2 | |
R2,R4 |
С2-23-0,062-20кОм±1% А-Б-В |
2 | |
Rэ1,Rэ2 |
С2-23-0,062-121кОм±1% А-Б-В |
2 | |
Rф1,Rф2 |
С2-23-0,062-200кОм±10% А-Г-В |
2 | |
R5 |
С2-23-0,062-39кОм±1% А-Б-В |
1 | |
R6 |
С2-23-0,062-10кОм±10% А-Г-В |
1 | |
Транзистры | |||
VT1,VT2 |
КТ-399А |
2 | |
Микросхемы | |||
DA1 |
МС3362P |
1 |
Другие стьтьи в тему
Расчёт трассы прокладки волоконно-оптического кабеля между населёнными пунктами
В
современном мире быстрыми темпами наращиваются объёмы информации,
соответственно повышаются требования к передающей аппаратуре, поскольку каждые
пять-шесть лет объём передаваемой информации увеличивается вдвое.
Задача
передачи такого количества информации с высокой степенью дост ...
Разработка электронного устройства
Разработка структурной схемы
...